ENG

Новости бизнес-направления

23.04.2012 | «Микрон» участвует в выборе победителей номинации «Микроэлектроника» в рамках конкурса журналистов «PRESSЗВАНИЕ» •••

30.03.2012 | Студенты МФТИ выбирают базовую кафедру «Микрона» •••

26.03.2012 | «Микрон» посетили победители VI Всероссийской интернет–олимпиады «Нанотехнологии – прорыв в будущее!» •••

Видео

20.02.2012 | CNews TV. В России появилось 90-нм производство •••

Исследования и разработки

Головное предприятие бизнес-направления «СИТРОНИКС Микроэлектроника» обладает мощным R&D центром, на постоянной основе сотрудничающим более чем с 60 научными центрами, техническими университетами и центрами проектирования. Сегодня в исследовательском центре микро- и наноэлектроники с современной экспериментальной и вычислительной базой заняты более 400 человек. Ежегодно на НИОКР приходится около 15% выручки предприятия, что соответствует мировой практике инновационного бизнеса. ОАО «НИИМЭ и Микрон» создает современную инфраструктуру проектирования сложных интегральных схем типа «система на кристалле», необходимую не только Микрону, но и другим дизайн-центрам России.

Основные направления исследований и разработок ОАО «НИИМЭ и Микрон»:

1. Исследование и разработка элементной базы микро- и наноэлектроники

• EEPROM, КМОП 180-90 нм – транзисторы, элементы энергонезависимой памяти
• Полевые эмиссионные наноструктуры
• Элементная база радиационно-стойких КМОП СБИС на основе структур «кремний на изоляторе»
• Элементная база СВЧ БиКМОП СБИС на основе гетероструктур Si-Ge
• Освоение методов приборно-технологического моделирования новой элементной базы

Разработка элементной базы полевой эмиссионной микро-наноэлектроники (ПЭМ)

Основные характеристики разработок:
• транспорт электронов баллистический: осуществляется в вакууме, поэтому отсутствуют потери скорости и мощности при столкновениях в транспортной среде
• высокая температурная стойкость
• высокая радиационная стойкость

2. Разработка и освоение технологий проектирования чипов

• Освоение технологии EEPROM, КМОП 180-90 нм
• Технология радиационно-стойких КМОП-КНИ ИС 250 – 180 нм
• Разработка технологии изготовления СВЧ БиКМОП ИС (250 нм) на основе гетероструктур SiGe
• Разработка и освоение методов приборно-технологического моделирования в процессе разработки новых технологий

Развитие технологии изготовления СБИС на структурах КНИ
• Проведено приборно-технологическое моделирование физической структуры
• Разработан проект правил проектирования
• Разработан тестовый кристалл для характеризации технологии.

Освоение и адаптация Design Kit по технологии 180 нм
• Разработка новых СФ-блоков (ОЗУ, ПЗУ, интерфейсы и пр.)

Разработка быстродействующей библиотеки
• Текущий статус – валидация
• Проведен функциональный контроль
• Проводится уточнение динамических характеристик и потребляемой мощности

3. Разработка специализированного программного обеспечения

1. Встроенное ПО для микроконтроллеров смарт-карт:
• Операционная система БИС для ПВД
• Операционная система БИС для СИМ-карт
• Универсальная ОС

2. Программно-аппаратные комплексы криптографической защиты информации:
• Шифрование по ГОСТ 28147
• Шифрование по международным стандартам AES, RSA
• Организация ЭЦП (электронной цифровой подписи)

4. Разработка и освоение технологии подготовки информации для изготовления фотошаблонов и производства в режиме Foundry

• Проектирование фотошаблонов
• Обработка топологической информации, включая фазовую коррекцию и коррекцию оптического эффекта близости

5. Разработка технологического оборудования для наноэлектроники