История

История бизнес-направления

2012

Запущена линия по производству микрочипов с топологическим уровнем 90 нм. Запуск новой линии позволит нарастить производственную мощность завода в два раза до 36 тысяч пластин диаметром 200 мм в год.

2011

На базе исследовательского центра ОАО «НИИМЭ и Микрон» учреждено открытое акционерное общество «Научно-исследовательский институт молекулярной электроники», образованое для развития собственных отечественных технологий и уникальных продуктов уровня 180-90нм на заводе «Микрон» и создания новых технологий, в том числе уровня 65-45 нм и менее. Генеральным директором «НИИМЭ» назначен Г.Я. Красников.

ОАО «НИИМЭ и Микрон» вошло в десятку ведущих инновационных компаний России по версии делового издания Fast Company

2010

Подписано соглашение о передаче на «Микрон» технологии производства микросхем с нормами 90 нм от компании STMicroelectronics.

ОАО «СИТРОНИКС» выступило генеральным партнером международной конференции «Российский рынок микроэлектроники — перспективы развития» (26 февраля, г. Москва).

2009

ГК «РОСНАНО» и АФК «Система» подписали договор о создании на базе производственной площадки и инфраструктуры ОАО «НИИМЭ и Микрон» производства интегральных схем с проектными нормами 90 нм по технологии компании STMicroelectronics на пластинах 200 мм.

ОАО «НИИМЭ и Микрон» подтвердило соответствие стандарту системы экологического менеджмента (СЭМ) ISO 14001:2004. Аудит проведен международной компанией Bureau Veritas Certification Rus.

Компания «СИТРОНИКС Смарт Технологии» выиграла ряд тендеров:

2008

Геннадий Красников, генеральный директор ОАО «НИИМЭ и Микрон» награжден орденом «За заслуги перед Отечеством» IV степени, избран академиком РАН и вошел в состав Совета руководителей из стран Европы, Ближнего Востока и Африки (EMEA Leadership Council) Глобального Полупроводникового альянса (The Global Semiconductor Alliance, GSA.

«Микрон» первым из российских производителей микроэлектроники сертифицировал производство по стандарту Системы экологического менеджмента ISO 14001.

Производство банковских карт с чипом, организованное в компании «СИТРОНИКС Смарт Технологии», сертифицировано по стандартам Visa и MasterCard.

«СИТРОНИКС Смарт Технологии» приступило к поставкам SIM-карт увеличенной емкости памяти EEPROM 128 Кб, позволяющих расширить функционал SIM-меню для пользователей. Компания разработала и успешно сдала в эксплуатацию платформу DSTK (Dynamic Sim ToolKit) для мобильных операторов.

2007

ОАО «НИИМЭ и Микрон» совместно с Ассоциацией менеджеров России провели 1-ю Международную конференцию по микроэлектронике.

«СИТРОНИКС Микроэлектроника» стала членом международной ассоциации EUROSMART.

ОАО «НИИМЭ и Микрон» вступило в международную полупроводниковую торговую ассоциацию FSA, ныне преобразованную в GSA (Global Semiconductor Association), и открыло производство интегральных схем с топологическим уровнем 0,18 мкм EEPROM.

2006

Подписано соглашение с компанией STMicroelectronics о передаче «ОАО «НИИМЭ и Микрон» технологии производства интегральных схем с топологическим уровнем 0,18 мкм по технологии EEPROM. На «Микроне» начало работать производство чип-модулей для контактных смарт-карт. В ноябре ОАО «НИИМЭ и Микрон» приступило к работе с правилами проектирования микросхем по технологии EEPROM 0,18 мкм для российских дизайн-центров.

В декабре «Микрон» начал освоение полного цикла производства RFID-билетов для транспорта и начал поставки билетов для Московского Метрополитена.

Компания «СИТРОНИКС Смарт Технологии» в рамках бизнес-направления «СИТРОНИКС Микроэлектроника» открыло производство SIM-карт для телекоммуникационной отрасли.

2005

Открыт цех по сборке компонентов для жидкокристаллических мониторов.

Указом Президиума Верховного Совета СССР от 12.04.1983 г. НИИМЭ и завод «Микрон» награжден орденом Трудового Красного Знамени за успешное заданий по созданию и производству Единой системы ЭВМ.

2002

Открыт новый Центр проектирования.

2001–2005

Согласно Постановлению Правительства РФ за достигнутые успехи ОАО «НИИМЭ и Микрон» присуждена премия Правительства РФ в области качества. В 2001 г. на Первом Московском международном салоне инноваций и инвестиций «Микрон» награжден двумя золотыми и двумя серебряными медалями за разработку новых технологических маршрутов.

Разработаны конструкция и технология изготовления микромеханического волоконно-оптического переключателя, созданы пилотные образцы продукта. «Микрон» первым из промышленных предприятий РФ вышел на фондовый рынок,

2000

НИИМЭ и Микрон вошли в состав высокотехнологичного холдинга «Концерн “Научный центр”» (ныне концерн «СИТРОНИКС»). «НИИМЭ и Микрон» становится головным предприятием бизнес-направления «Микроэлектроника» концерна «СИТРОНИКС».

Основана компания «Смарт Карты» (ныне «СИТРОНИКС Смарт Технологии»), вошедшая в бизнес-направление «СИТРОНИКС Микроэлектроника».

На базе Воронежского завода полупроводников создано ЗАО «ВЗПП-Микрон».

1999

Получен международный сертификат компании Bureau Veritas Quality International на соответствие системы управления качеством согласно нормам ISO 9000.

1996 – 2000

Разработаны и освоены быстродействующие ЦАП и АЦП схемы серии 572. Освоено более 200 типов интегральных схем, ранее выпускавшихся на других предприятиях страны. Построена новая чистая комната, начато производство ИС на пластинах кремния диаметром 150 мм с проектными нормами 0,8 мкм.

1991 – 1995

В 1991 г. «Микрон» возглавил Г.Я. Красников. В том же году разработан опытный образец цветного 100 мм жидкокристаллического дисплея. «Микрон» получил право самостоятельного выхода на зарубежные рынки; начата серийная поставка кристаллов ИС для фирмы «Самсунг». Закончен монтаж чистой комнаты «ОЗОН-1» класса 10 на основе отечественных комплектующих.

13 января 1994 г. Московская регистрационная палата зарегистрировала предприятие как акционерное общество открытого типа «НИИ молекулярной электроники и завод “Микрон”. Разработана технология изготовления БиКМОП ИС, создана элементная база современных БиКМОП ИС с использованием самосовмещенной технологии (защищено 7 патентами РФ).

1986 – 1990

Выпущены первые ИС с программируемыми логическими матрицами серий 556 и 1556. Организован промышленный выпуск базового матричного кристалла БМК-И-300Б (быстродействие 0,35 нс на вентиль, 1500 вентилей на кристалле) в качестве элементной базы отечественных супер-ЭВМ. Разработана отечественная суперсовмещенная технология (ССТ) получения биполярных транзисторов с высокой степенью интеграции и быстродействием 0,15 нс на вентиль. Освоены первые схемы семейства PAL и телевизионные ИС.

Указом Президиума Верховного Совета СССР от 12.04.1983 г. НИИМЭ и завод «Микрон» награжден орденом Трудового Красного Знамени за успешное заданий по созданию и производству Единой системы ЭВМ.

1978 – 1985

Разработан универсальный быстродействующий микропроцессорный набор серии 1802, предназначенный для оборонной техники, в частности для комплексов ПВО.

1980

На заводе «Микрон» изготовлена 100-миллионная микросхема; осуществлены поставки интегральных микросхем для обеспечения программы «Марс-Венера»; начато производство КМОП запоминающих устройств с произвольной выборкой; на предприятии создано производство на основе отечественных «чистых комнат».

1977

В 1977 г. впервые в стране разработан комплект микропроцессорных БИС ТТЛ с диодами Шоттки. Отработан первый отечественный техпроцесс изготовления ИС с изоляцией окислом («изопланар») – основа производства биполярных ИС последующего поколения. Разработан и внедрен базовый технологический процесс изготовления ИС с применением ионного легирования, внедрены плазмохимические процессы в технологии изготовления ИС.

1971 – 1975

В 1971 г. сданы под монтаж все четыре секции завода «Микрон» площадью свыше 60 тыс. кв. м. Микросхемы серии 155 впервые аттестованы на высшую категорию качества. «Знак качества» присвоен в 1972 г.

Организован промышленный выпуск разработанных на предприятии логических цифровых ИС серий 100 и 500 с быстродействием 2 нс на вентиль, обеспечивших элементной базой:

1966 – 1970

Объем производства в 1966 г. составил 100 000 микросхем. 1 февраля 1967 г. Приказом Министра электронной промышленности СССР при НИИМЭ организован завод по производству интегральных схем «Микрон». Впервые в стране разработаны и созданы:

К 1970 г. изготовлено и поставлено различным отраслям более 3,5 млн. микросхем.

1965

25 января директором НИИМЭ назначен К.А. Валиев. На начало года в НИИМЭ работали 183 человека. Большинство сотрудников размещалось в общем зале завода «Элион». На площадях завода «Компонент» организована и запущена первая линейка по выпуску бескорпусного планарного биполярного n-p-n-транзистора. В конце года закончено строительство собственного здания НИИМЭ площадью 25 тыс. кв. м.

1964

В соответствии с Приказом Госкомитета СССР по электронной технике от 09.03.1964 № 50 организован Научно-исследовательский институт молекулярной электроники (НИИМЭ).

1962

Организован Научно-исследовательский институт точного машиностроения (ныне ОАО «НИИТМ»)

1959

Основан Воронежский завод полупроводниковых приборов (ныне «ВЗПП-Микрон»).

В конце 50-х – начале 60-х годов прошлого века зародилась и начала активно развиваться новая наука – микроэлектроника. Осознавая необходимость создания собственной микроэлектронной промышленности, Государственный комитет СССР по электронной технике принял решение об организации НИИ и заводов, на базе которых возникла отечественная микроэлектроника.